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青岛福润德微电子设备有限公司
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供应PECVD设备

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    满足半导体集成电路,电力电子器件,光电子等行业用于在硅片上淀积Si O2、Si 3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。 CVD系统性能特点:

结构形式:1—4管卧式热壁型

硅片规格:2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)

温度范围:300~1100℃

恒温区长度及精度:200mm—1000mm(±1℃/24h)

淀积薄膜均匀性: 片内±5%      片间±5%      批间±5%

沉积膜厚度:600~15000A

系统极限真空度:优于1Pa

工作压力范围:20~133Pa闭环控制

控制方式:工业微机

送料装置:悬臂推拉舟、软着陆系统

淀积薄膜分类:Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜

真空泵:罗茨泵、机械泵

工艺气路:5路气/管。VCR接口

40KFIz脉宽调制AE高频电源

装片量:200片/舟

 
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